Микроэлектроника в России - нужна ли нам стратегия "догнать"?

Предлагаю обсудить следующий вопрос. Весь мир сейчас работает над техпроцессами на 2-3 нм, мы же в России по планам к 2030 году планируем
2026–2028 — литограф на 40 нм (5+ пластин/час)
2029–2032 — литограф на 14 нм (50+ пластин/час)
2033–2036 — установка менее 10 нм (100+ пластин/час, шестизеркальная оптика, точность наложения 2 нм)
Т.е. пока мы доберемся до 2 нм, мир, понятно, уйдет дальше, и мы снова будем догонять.
А есть ли смысл?
Ведь у нас есть, например, группа Евгения Геваргизова в Институте кристаллографии РАН им.Шубникова, где, цитирую "завершён этап НИР по созданию многолучевого электронного литографа. Ключевой элемент — мультикатод, формирующий множество независимых электронных лучей одновременно (радиус закругления вершины 1,5–2 нм — один из лучших мировых результатов). Установка должна экспонировать кремниевую пластину за 5–7 минут вместо 1,5–2 недель у однолучевых систем — ускорение примерно в 3000 раз. Первый опытный образец ожидается примерно через три года; в перспективе установка может работать по нормам «от 350 нм до нескольких нанометров». "
Так, может, уже сейчас сосредоточиться на подобных разработках и сразу "прыгнуть" в то, что менее 10 нм? А не тратить средства сначала на 40 нм, потом на 14 и далее по списку.
Что Вы думаете по этому поводу?